大家都知道LED燈珠是由半導體材料制成的發光組件，材料使用Ⅲ-Ⅴ族化學元素（如：磷化鎵(gap)、氮化鎵（GaN）等），發光原理是對化合物半導體施加電流，透過電子與電洞的結合，過剩的能量以光的形式釋出，達成發光的效果。那麼今天我們來談談Ⅲ-Ⅴ族化學元素中的氮化鎵

   氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物。 GaN氮化鎵LED燈珠是直接能隙之半導體材料，其能隙為3.4ev， 而aln為6.3ev， inn為2.0ev，將這幾種材料做成混晶時，可以將能隙從2.0ev連續改變到6.3ev，因此可以獲得從紫外線、紫光、藍光、綠光到黃光等範圍的顏色。

   GaN使movpe制作技術，可制作高亮度純藍光LED燈珠及純綠光LED燈珠，更可應用於藍光、綠光雷射二極管之制作。目前最成功的GaN組件有高亮度藍光及綠光LED燈珠，因GaN高亮度藍光、綠光LED燈珠的開發成功，使得戶外全彩LED顯示屏及LED交通號誌得以實現，各種LED的應用也更加廣泛。以高亮度藍光激發螢光物質（phospher）可以產生白光，其低耗電及高壽命的特性，有可能取代壹般照明用的白熾燈泡，GaN氮化鎵LED燈珠的市場潛力十分雄厚。